以MT48LC32M16A2为例，其为8M x 16 x 4banks(64MB)
在ACTIVE Command时先指定Bank和Row address，在READ/WRITE Command时，到指定的Bank和Column address下读数据
4banks由BA[1:0]决定，每个bank为8M x 16(16bit数据读写)
而每个bank的8M寻址就由地址线A[12:0]来完成，A[12:0]为Row address而A[9:0]同时复用为Column address
在ACTIVE Command发Row地址，再在READ/WRITE Command下发Column地址。所以每个Bank的寻址范围就是2^13 * 2^10 = 8M
再大的SDRAM也是一样的道理，只要有这样大的SDRAM和处理器的SDRAM控制器可以支持。
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