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关于EBIU读写Flash的问题

xuanjinjin(论坛新手)

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注册时间：2013/9/23

关于EBIU读写Flash的问题

我使用的是Flash是AM29LV320DB，是4M*16bit的芯片，利用EBIU对Flash的第一M地址空间读写都能正常进行，捕捉AMS0会发现有低电平出现，如果我用相同的程序读写后3M空间时候，用示波器观察AMS1\AMS2\AMS3都一直为高电平，不会拉低，请问这是为什么？我的程序是：

*pEBIU_AMBCTL0 = 0x7BB07BB0; //Write access time = 7 cycles, read access time = 11 cycles, no ARDY

*pEBIU_AMBCTL1 = 0x7BB07BB0; //Hold time = 2 cycles, setup time = 3 cycles, transition time = 4 cycles

*pEBIU_AMGCTL = 0x000F; //Enable all memory banks

读写代码是：

#define GetAddr(addr) (volatile unsigned short *)(FLASH_ADDR|(addr<<1))

ip = GetAddr1(Addr);

return(*ip);

为什么读取0x2000000--0x20100000地址空间AMS0有低电平出现，而其他3M没有低电平呢？

我的底牌是什么

等级：

2014/3/10 11:47:28

xuanjinjin(论坛新手) 头衔：社区公民帮派：无帮无派帖数：57 金钱：562 积分：72 注册时间：2013/9/23	小大第 1 楼信息 \| 留言 \| Email \| 主页 \| 编辑 \| 管理 \| I have solved this problem,and made a mistakeshh void Init_EBIU(void); void Init_SDRAM(void); 又有了void 导致这两个函数初始化未执行导致EBIU未初始化我的底牌是什么
等级：	2014/3/10 20:26:39

xuanjinjin(论坛新手) 头衔：社区公民帮派：无帮无派帖数：57 金钱：562 积分：72 注册时间：2013/9/23	小大第 2 楼信息 \| 留言 \| Email \| 主页 \| 编辑 \| 管理 \| 在单步调试时候发现这两个怎么没有执行呢？原来是这么低级的错误，真是脑残了 Init_SDRAM();就可以了我的底牌是什么
等级：	2014/3/10 20:29:12

andy(论坛版主) 头衔：社区公民帮派：无帮无派帖数：2287 金钱：11132 积分：2263 注册时间：2011/6/8	小大第 3 楼信息 \| 留言 \| Email \| 主页 \| 编辑 \| 管理 \| 你注意一下VDSP下system文件下，有个ArchDef文件夹，里面很多XML文件，在里面找到你的处理器型号相关的xml，看看-proc.xml 内容里面，有没有对你的SDRAM初始化，通常也可以用这个文件来初始化你的SDRAM 这家伙很懒，什么也没有留下！
等级：	2014/3/11 22:48:07

bkbxbsyjh(论坛新手) 头衔：社区公民帮派：无帮无派帖数：62 金钱：452 积分：64 注册时间：2014/7/1	小大第 4 楼信息 \| 留言 \| Email \| 主页 \| 编辑 \| 管理 \| 楼主你好，我只能访问1M的空间，能不能共享一下你的norflash那部分的原理图这家伙很懒，什么也没有留下！
等级：	2015/5/4 21:06:56

andy(论坛版主) 头衔：社区公民帮派：无帮无派帖数：2287 金钱：11132 积分：2263 注册时间：2011/6/8	小大第 5 楼信息 \| 留言 \| Email \| 主页 \| 编辑 \| 管理 \| 上传的图片 201551023383297.jpg [ 72.85 KB 969×642 ] (缩略时请点击查看原图) 这个是2M的flash连接参考，需要一个与门译码片选。如果是4M的，你可以参考官方的BF518的EZKIT设计，印象中那个使用的是4MB的flash 这家伙很懒，什么也没有留下！
等级：	2015/5/10 23:39:40