如题！另，SPI引导时，如代码溢出LI代码区，除可以被装载到SDRAM, 装载到SRAM行吗？

SDRAM号称133M, SRAM速度10ns, 两者似乎是一个速度级别的，实际存取速度谁快？耗电谁大？

多谢！

多谢ANDY!

我没说清楚，SRAM是外挂于EBIU的外部SRAM。看到有一个日本产品是使用了SRAM而非SDRAM（SPI引导），没搞明白为什么。外挂SRAM时，将EBIU的延时设为最短，其访问速度不是可以到SCLK（133Mhz）吗？SDRAM好像有延时故访问速度达不到133Mhz。这个角度分析SRAM是否要快些？

另外，VDSP下，哪个窗口里可以看到编译后的代码大小/RAM使用情况等数据？目前在BUILD输出窗口没有这些数据。

ANDY回家了吧。有没有其他老师知道这个问题答案呢，能否帮忙解解惑？

EBIU 接口访问一次数据，需要有建立时间，访问时间，保持时间，扩展时间，即使你配置为最快，这些时间都有一个最小的系统时钟数，所以存取一次数据消耗的内核时钟为10~15个系统时钟，不可能比SDRAM快。在计算机上，为了追求更快的存取速度，才使用SDRAM替换了SRAM，后来DDR替换了SDRAM　。

如果是查看生成的烧写数据的大小，可以将工程设置为loadr类型，把生成的LDR格式选为Binary格式，编译后产生的LDR文件大小就是写入Flash占用的大小。查看SRAM中的数据，可以采用Memory窗口，然后输入SRAM数据的首地址即可查看内部数据。占用情况可以在LDF中建立SRAM的区域，然后采用LDF图形模式查看，可以获知占用多大数据。

多谢ANDY在家乡的回复!

没想到VDSP下查看编译后代码/RAM大小还不那么直观，不知在新环境是否改善了，呵呵。

祝OP/ANDY 和OPENADSP各位兄弟姐妹新春愉快，事业大发展！

ANDY, 抱歉，我刚才看了LDR文件70K,但是用VDSP下的FLASH烧写工具写FLASH时才烧了32K，差距这么大吗？

另外，观察RAM使用情况，LDF文件使用EXPERT LINKER专家连接器查看，似乎看不到RAM已经使用了多少的数据，应该这样看呢？

这个需求主要是当内部数据RAM不够用时，优化时参考。

多谢！

你的LDR文件格式是Hex还是Bin的

LDF图形查看只能看到大概内存使用情况，打开后将SRAM区域部分放大，蓝色区域表示使用的。

貌似没有查看具体使用了多少，只有内存在溢出时，编译时会提示。

多谢ANDY, 我的文件是HEX的，改为BIN确实小了很多，基本与实际烧写差不多了。就是略感不便，不如KEIL环境方便。观察RAM使用就太不方便了。

期待改进吧。

祝大家新年好！